http://dspace.bsu.edu.ru/handle/123456789/4824| Название: | Nanometer-sized carbon coatings on a silicon wafer: the effect that nitrogen doping level has on specific conductivity and morphology |
| Авторы: | Kolpakov, A. Ya. Sudzhanskaya, I. V. Galkina, M. E. Goncharov, I. Yu. Poplavskii, A. I. Manokhin, S. S. |
| Ключевые слова: | chemistry chemical technology nitrogen-doped carbon single-crystal silicon wafers vacuum-arc technique |
| Дата публикации: | 2011 |
| Библиографическое описание: | Nanometer-sized carbon coatings on a silicon wafer: the effect that nitrogen doping level has on specific conductivity and morphology / A.Ya. Kolpakov, I.V. Sudzhanskaya, M.E. Galkina et al. ; Belgorod State University // Nanotechnologies in Russia. - 2011. - Vol.6, N3–4.-P. 185–188. - doi: 10.1134/S199507801102011X. |
| Краткий осмотр (реферат): | The dependences that the specific conductivity has on nitrogen pressure and thickness show nonlinear behavior; correlations between the coating morphology, specific conductivity, and plasmon energy are revealed. An explanation for the results is proposed |
| URI (Унифицированный идентификатор ресурса): | http://dspace.bsu.edu.ru/handle/123456789/4824 |
| Располагается в коллекциях: | Статьи из периодических изданий и сборников (на иностранных языках) = Articles from periodicals and collections (in foreign languages) |
| Файл | Описание | Размер | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| Kolpakov_A_Nanometer-Sized.pdf | 232.71 kB | Adobe PDF | Просмотреть/Открыть |
Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.