http://dspace.bsu.edu.ru/handle/123456789/4399| Название: | Transient current in nematic cells containing a silicon substrate |
| Авторы: | Kucheev, S. I. |
| Ключевые слова: | physics solid state physics transient current silicon substrate |
| Дата публикации: | 2008 |
| Библиографическое описание: | Kucheev, S.I . Transient current in nematic cells containing a silicon substrate / S.I. Kucheev ; Belgorod State University // Journal of physics: condensed matter. - 2008. - Vol.20, N27.- P. 1-4. - Doi: 10.1088/0953-8984/20/27/275222 |
| Краткий осмотр (реферат): | Transient currents induced by step voltage or polarity reversal of voltage applied to a liquid crystal cell containing a silicon substrate have been investigated. It is shown that the curves of transient current reveal a minimum for negative polarity of dc voltage relative to a silicon substrate of p-type conductivity |
| URI (Унифицированный идентификатор ресурса): | http://dspace.bsu.edu.ru/handle/123456789/4399 |
| Располагается в коллекциях: | Статьи из периодических изданий и сборников (на иностранных языках) = Articles from periodicals and collections (in foreign languages) |
| Файл | Описание | Размер | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| Kucheev_ S_Transient.pdf | 112.18 kB | Adobe PDF | Просмотреть/Открыть |
Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.