http://dspace.bsu.edu.ru/handle/123456789/4326| Название: | Mechanisms of hopping conductivity in weakly doped La₁₋ₓВaₓMnO₃ |
| Авторы: | Laiho, R. Lisunov, K.G. Shakhov, M.A. Zakhvalinskii, V.S. Stamov, V.N. Lahderanta, E. Patrakeev, M.V. |
| Ключевые слова: | physics physics of the solid state sresistance of materials hopping conductivity paramagnetic transition ferromagnetic transition magnetization measurements |
| Дата публикации: | 2005 |
| Библиографическое описание: | Mechanisms of hopping conductivity in weakly doped La₁₋ₓВaₓMnO₃=Механизм прыжковой проводимости в слабо легированных La₁₋ₓBaₓMnO₃ / R. Laiho, K.G. Lisunov,... V.S Zakhvalinskii et al. // Journal of physics: condensed matter. Special section on semiconductor - oxide interfaces in microelectronic devices. - 2005. - Vol.17, N21.-P. 3429-3444. - doi:10.1088/0953-8984/17/21/033 |
| Краткий осмотр (реферат): | The localization radius of the charge carriers, a, has different constant values within the temperature intervals where δ(T) ~ T½. With further decrease of T, a increases according to the law expected for small lattice polarons |
| URI (Унифицированный идентификатор ресурса): | http://dspace.bsu.edu.ru/handle/123456789/4326 |
| Располагается в коллекциях: | Статьи из периодических изданий и сборников (на иностранных языках) = Articles from periodicals and collections (in foreign languages) |
| Файл | Описание | Размер | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| Mechanisms of hopping.pdf | 476.8 kB | Adobe PDF | Просмотреть/Открыть |
Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.