Skip navigation
BelSU DSpace logo

Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот ресурс: http://dspace.bsu.edu.ru/handle/123456789/61339
Название: Исследование dV/dt характеристик карбидокремниевых диодов Шоттки
Авторы: Рыбалка, С. Б.
Демидов, А. А.
Кульченков, Е. А.
Дракин, А. Ю.
Ключевые слова: физика
физика твердого тела
физика полупроводников
карбид кремния
диоды Шоттки
диоды
напряжение
Дата публикации: 2018
Библиографическое описание: Исследование dV/dt характеристик карбидокремниевых диодов Шоттки / С.Б. Рыбалка [и др.] ; Брянский государственный технический университет // Научные ведомости БелГУ. Сер. Математика. Физика. - 2018. - Т.50, №4.-С. 460-468. - DOI: 10.18413/2075-4639-2018-50-4-460-468. - Библиогр.: с. 467-468.
Краткий осмотр (реферат): Впервые сконструирован отечественный экспериментальный тестер для определения dV/dt характеристик диодов при подаче амплитуды импульса обратного напряжения VA через диод Шоттки (300+950 В). Экспериментально установлено, что при подаче амплитуды импульса обратного напряжения через диод 900 В значение dV/dt для отечественного SiC коммерческого диода составляют 148 +308 В/нс, которые сопоставимы с коммерческими зарубежными диодами. Определенные значения dV/dt для отечественных SiC коммерческих диодов Шоттки больше, чем типичные значения dV/dt для таких зарубежных типов устройств, и диоды могут устойчиво работать без отказов в электрической силовой цепи
URI (Унифицированный идентификатор ресурса): http://dspace.bsu.edu.ru/handle/123456789/61339
Располагается в коллекциях:Т. 50, № 4

Файлы этого ресурса:
Файл Описание РазмерФормат 
Rybalka_Issledovanie_18.pdf624.12 kBAdobe PDFПросмотреть/Открыть
Показать полное описание ресурса Просмотр статистики


Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.