| DC Field | Value | Language |
|---|
| dc.contributor.author | Рыбалка, С. Б. | - |
| dc.contributor.author | Демидов, А. А. | - |
| dc.contributor.author | Кульченков, Е. А. | - |
| dc.contributor.author | Дракин, А. Ю. | - |
| dc.date.accessioned | 2024-03-18T09:39:16Z | - |
| dc.date.available | 2024-03-18T09:39:16Z | - |
| dc.date.issued | 2018 | - |
| dc.identifier.citation | Исследование dV/dt характеристик карбидокремниевых диодов Шоттки / С.Б. Рыбалка [и др.] ; Брянский государственный технический университет // Научные ведомости БелГУ. Сер. Математика. Физика. - 2018. - Т.50, №4.-С. 460-468. - DOI: 10.18413/2075-4639-2018-50-4-460-468. - Библиогр.: с. 467-468. | ru |
| dc.identifier.uri | http://dspace.bsu.edu.ru/handle/123456789/61339 | - |
| dc.description.abstract | Впервые сконструирован отечественный экспериментальный тестер для определения dV/dt характеристик диодов при подаче амплитуды импульса обратного напряжения VA через диод Шоттки (300+950 В). Экспериментально установлено, что при подаче амплитуды импульса обратного напряжения через диод 900 В значение dV/dt для отечественного SiC коммерческого диода составляют 148 +308 В/нс, которые сопоставимы с коммерческими зарубежными диодами. Определенные значения dV/dt для отечественных SiC коммерческих диодов Шоттки больше, чем типичные значения dV/dt для таких зарубежных типов устройств, и диоды могут устойчиво работать без отказов в электрической силовой цепи | ru |
| dc.language.iso | ru | ru |
| dc.subject | физика | ru |
| dc.subject | физика твердого тела | ru |
| dc.subject | физика полупроводников | ru |
| dc.subject | карбид кремния | ru |
| dc.subject | диоды Шоттки | ru |
| dc.subject | диоды | ru |
| dc.subject | напряжение | ru |
| dc.title | Исследование dV/dt характеристик карбидокремниевых диодов Шоттки | ru |
| dc.type | Article | ru |
| Appears in Collections: | Т. 50, № 4
|
