Skip navigation
BelSU DSpace logo

Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот ресурс: http://dspace.bsu.edu.ru/handle/123456789/58065
Название: Study on the achieving to strong coupling regime for InAs/GaAs quantum dot embedded in the nanocavity
Авторы: Mohebbifar, M. R.
Gainutdinov, R. Kh.
Khamadeev, M. A.
Ключевые слова: physics
physical optics
InAs/GaAs quantum dot
strong coupling regime
nanocavitv
dressed state
cavity decay rate
Дата публикации: 2015
Издательство: Mohebbifar, M.R. Study on the achieving to strong coupling regime for InAs/GaAs quantum dot embedded in the nanocavity / M.R. Mohebbifar, Gainutdinov R.Kh., M.A. Khamadeev ; Kazan Federal University // Научные ведомости БелГУ. Сер. Математика. Физика. - 2015. - №11(208), вып.39.-С. 205-210.
Краткий осмотр (реферат): In order to the generation of single photon and the production of dressed states between photons and electrons in nanophotonic structures, achieving strong coupling regime is necessary. One of the best ways achieving to strong coupling, is quantum dots embedded in nanocavitv of photonic crystals
URI (Унифицированный идентификатор ресурса): http://dspace.bsu.edu.ru/handle/123456789/58065
Располагается в коллекциях:№ 11 (208), вып. 39

Файлы этого ресурса:
Файл Описание РазмерФормат 
Mokhebbifar_Study.pdf168.24 kBAdobe PDFПросмотреть/Открыть
Показать полное описание ресурса Просмотр статистики


Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.