Skip navigation
BelSU DSpace logo

Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот ресурс: http://dspace.bsu.edu.ru/handle/123456789/31746
Название: Positrons vs electrons channeling in silicon crystal: energy levels, wave functions and quantum chaos manifestations
Авторы: Shulga, N. F.
Syshchenko, V. V.
Tarnovsky, A. I.
Solovyevc, I. I.
Isupov, A. Yu.
Ключевые слова: physics
silicon crystal
positrons
electrons
energy levels
wave functions
quantum chaos
Дата публикации: 2018
Библиографическое описание: Positrons vs electrons channeling in silicon crystal: energy levels, wave functions and quantum chaos manifestations / N. F. Shulga, V. V. Syshchenko, A. I. Tarnovsky [et al.] // Journal of Instrumentation. - 2018. - Vol.13, N1. - Art. C01017. - (XII International Symposium on Radiation from Relativistic Electrons in Periodic Structures - RREPS-17, Hamburg, Germany, 18-22 September, 2017).
Краткий осмотр (реферат): The motion of fast electrons through the crystal during axial channeling could be regular and chaotic. The dynamical chaos in quantum systems manifests itself in both statistical properties of energy spectra and morphology of wave functions of the individual stationary states. In this report, we investigate the axial channeling of high and low energy electrons and positrons near direction of a silicon crystal
URI (Унифицированный идентификатор ресурса): http://dspace.bsu.edu.ru/handle/123456789/31746
Располагается в коллекциях:Статьи из периодических изданий и сборников (на иностранных языках) = Articles from periodicals and collections (in foreign languages)

Файлы этого ресурса:
Файл Описание РазмерФормат 
Syshchenko_Positrons.pdf3.48 MBAdobe PDFПросмотреть/Открыть
Показать полное описание ресурса Просмотр статистики


Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.