Skip navigation
BelSU DSpace logo

Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот ресурс: http://dspace.bsu.edu.ru/handle/123456789/60391
Название: Обеднение кремния, индуцированное пленками нитрида кремния в структуре Si/Si₃N₄/Нематик/ITO
Авторы: Кучеев, С. И.
Межаков, Н. Н.
Захвалинский, В. С.
Пилюк, Е. А.
Ключевые слова: физика
физика твердого тела
кристаллография
жидкие кристаллы
кремний
нематики
нитрид кремния
магнетрон
электроды
лазерное излучение
светочувствительность
Дата публикации: 2017
Библиографическое описание: Обеднение кремния, индуцированное пленками нитрида кремния в структуре Si/Si₃N₄/Нематик/ITO / С.И. Кучеев [и др.] ; НИУ БелГУ // Научные ведомости БелГУ. Сер. Математика. Физика. - 2017. - №13(262), вып.47.-С. 85-91. - Библиогр.: с. 91.
Краткий осмотр (реферат): Наноразмерные (< 10 нм) пленки нитрида кремния, полученные магнетронным напылением, изменяют порог светочувствительности МДП структуры типа Si/Si3N4/HeMaTHK 5СВ/прозрачный электрод. Сдвиг смещения порога светочувствительности демонстрирует пропорциональность толщине пленок на начальных этапах их напыления
URI (Унифицированный идентификатор ресурса): http://dspace.bsu.edu.ru/handle/123456789/60391
Располагается в коллекциях:№ 13 (262), вып. 47

Файлы этого ресурса:
Файл Описание РазмерФормат 
Kucheev_Obednenie_17.pdf267.15 kBAdobe PDFПросмотреть/Открыть
Показать полное описание ресурса Просмотр статистики


Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.