Skip navigation
BelSU DSpace logo

Please use this identifier to cite or link to this item: http://dspace.bsu.edu.ru/handle/123456789/54585
Title: Обеднение кремния, облученного фокусированным пучком ионов Ga в структуре Si /нематик/ электрод
Authors: Гончаров, И. Ю.
Колесников, Д. А.
Кучеев, С. И.
Омельченко, Е. И.
Тучина, Ю. С.
Keywords: физика
физика твердого тела
кристаллография
кремний
жидкокристаллическая решетка
ионные пучки
Issue Date: 2012
Citation: Обеднение кремния, облученного фокусированным пучком ионов Ga в структуре Si /нематик/ электрод / И. Ю. Гончаров [и др.] ; НИУ БелГУ // Научные ведомости БелГУ. Сер. Математика. Физика. - 2012. - №23(142), вып.29.-С. 122-127.
Abstract: Результаты экспериментального исследования возможности использования фокусированных ионных пучков галлия сканирующего ионного микро­скопа для решения задачи безмасочного варьирования порога обеднения кремния в структуре Si/ нематик/электрод
URI: http://dspace.bsu.edu.ru/handle/123456789/54585
Appears in Collections:№ 23 (142), вып. 29

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
Goncharov_Obednenie_kremniya.pdf197.91 kBAdobe PDFView/Open
Show full item record


Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.