| Поле DC | Значение | Язык |
|---|
| dc.contributor.author | Кучеев, С. И. | - |
| dc.contributor.author | Полунина, А. В. | - |
| dc.date.accessioned | 2024-02-15T17:02:02Z | - |
| dc.date.available | 2024-02-15T17:02:02Z | - |
| dc.date.issued | 2017 | - |
| dc.identifier.citation | Кучеев, С.И. Полярный электрооптический эффект памяти в структуре Si/нематик/ITO / С. И. Кучеев, А. В. Полунина ; НИУ БелГУ // Научные ведомости БелГУ. Сер. Математика. Физика. - 2017. - №6(255), вып.46.-С. 118-122. | ru |
| dc.identifier.uri | http://dspace.bsu.edu.ru/handle/123456789/60402 | - |
| dc.description.abstract | Описан эффект "памяти" ориентации нематика в структуре монокристаллический кремний/нематик/электрод, имеющий место при отрицательном смещении структуры относительно кремния | ru |
| dc.language.iso | ru | ru |
| dc.subject | физика | ru |
| dc.subject | физика твердого тела | ru |
| dc.subject | жидкие кристаллы | ru |
| dc.subject | нематики | ru |
| dc.subject | кремний | ru |
| dc.subject | электрооптический эффект | ru |
| dc.subject | МДП-структура | ru |
| dc.subject | диффузия | ru |
| dc.title | Полярный электрооптический эффект памяти в структуре Si/нематик/ITO | ru |
| dc.type | Article | ru |
| Располагается в коллекциях: | № 6 (255), вып. 46
|
